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然而，甘宁随着柱间距的减小，增大的表面积也会导致死区（即重p掺杂Si表面）的增加，从而降低p-n结产生的光电压，从而降低光电流密度的增强。在WO3/pn-Si微柱阵列中，多地电随着柱密度的增加，光电流密度先增大后减小。

采用高比表面积的钛基基底，清洁可以产生很强的金属-载体相互作用，对提高铂纳米簇催化剂的活性和稳定性起到了关键作用。通过特高这项研究提供了一个更深入的了解三维几何结构对使用定义良好的WO3/n-Si和WO3/pn-Si微柱阵列的PEC性能的影响。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，压陆援湖投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。

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通过测量斩波单色红外照明下的开路电位，多地电证明WO3/pn-Si微柱阵列的光电流密度增强是由p-n结产生的光电压决定的。然后，清洁为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。

Ceder教授指出，通过特高可以借鉴遗传科学的方法，通过特高就像DNA碱基对编码蛋白质等各种生物材料一样，用材料基因组编码各种化合物，而实现这一编码的工具便是计算机的数据挖掘及机器学习算法等。就是针对于某一特定问题，压陆援湖建立合适的数据库，压陆援湖将计算机和统计学等学科结合在一起，建立数学模型并不断的进行评估修正，最后获得能够准确预测的模型。

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